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科技快報

中芯國際7nm工藝Q4季度問世:性能提升20% 功耗降低57%


台積電、三星今年就要量產5nm工藝了,國內的先進工藝還在追趕,最大的晶圓代工廠中芯國際去年底量產了14nm工藝,帶來了1%的營收,收入769萬美元,不過該工藝技術已經可以滿足國內95%的需求了。

14nm及改進型的12nm工藝是中芯國際第一代FinFET工藝,他們還在研發更先進的N+1括N+2 FinFET工藝,分別相當於7nm工藝的低功耗、高性能版本。

根據中芯國際聯席CEO梁孟松博士所示,N+1工藝和14nm相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,邏輯面積縮小了63%,SoC面積減少了55%。

N+1之後還會有N+2,這兩種工藝在功耗上表現差不多,區別在於 性能及成本,N+2顯然是面向高性能的,成本也會增加。

至於備受關注的EUV光刻機,梁孟松表示在當前的環境下,N+1、N+2代工藝都不會使用EUV工藝,等到設備就緒之後,N+2工藝可能會有幾層光罩使用EUV,之後的工藝才會大規模轉向EUV光刻工藝。

現在最關鍵的是中芯國際的7nm何時量產,最新消息稱中芯國際的N+1 FinFET工藝已經有客戶導入了(不過沒公佈客戶名單),今年Q4季度小規模生產——這個消息比之前的爆料要好一些,進度更快。

為了加快先進工藝產能,中芯國際今年的資本開支將達到31億美元(該公司一年營收也不過30億美元上下),其中20億美元用於中芯國際的上海12英寸晶圓廠, 5億美元用於北京12英寸晶圓廠。

中芯國際7nm工藝Q4季度問世:性能提升20% 功耗降低57%

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