via：墓碑科技
Nvidia 已經不滿足於只買內存了。
它開始親自動手設計。
剛剛，三星與Nvidia 宣布結盟。
雙方要聯手研發下一代NAND 快閃記憶體。
這次用的是鐵電NAND 技術。
最恐怖的是研發手段：AI 驅動模擬。
速度比傳統的TCAD 模擬快了整整10,000倍。
什麼概念？
過去需要幾個月甚至幾年的迭代，現在可能幾天就跑完了。
結果同樣驚人：功耗直接降低96%。
儲存戰爭正進入垂直整合時代。
算力巨頭向上游滲透，直接定義底層硬體邏輯。
這意味著什麼？
未來的記憶體晶片將不再是通用商品，而是為AI 架構量身訂製的插件。
在這種降維打擊下，固守傳統模式的廠商還有活路嗎？
當效率提升一萬倍，功耗縮減到零頭，這種技術鴻溝將徹底重塑全球半導體版圖。
那些依然沉迷於產能內捲而非架構創新的玩家，恐怕連上桌的機會都沒有了。
新聞全文：
業界人士證實，三星電子已與英偉達合作，加速下一代NAND快閃記憶體晶片的研發。
三星与英伟达联合开发了一套人工智能系统，该系统能够显著加快基于铁电材料的超低功耗NAND闪存的研发——这项技术将决定人工智能芯片的性能。此举体现了两家公司在引领全球人工智能半导体蓬勃发展的同时，力求在下一代芯片竞争中保持技术领先地位的努力。
據業內人士12日透露，三星電子半導體研究院、英偉達和喬治亞理工學院的聯合研究團隊開發了一種名為「物理資訊神經網路算子（PINO）」的模型，其分析鐵電NAND裝置性能的速度比傳統方法快1萬倍以上。該研究成果已在全球範圍內發布。
鐵電材料是一種新型物質，無需持續的電輸入即可維持極化狀態（即正負電荷的分離）。由於鐵電材料能夠以極低的功耗高效存儲信息，因此將其應用於NAND閃存器件的研究一直十分活躍，其中三星電子處於領先地位。鐵電NAND指的是使用鐵電材料而非傳統矽材料製造的NAND快閃記憶體。
鐵電NAND的商業化需要後續研究，透過電腦模擬精確分析並改善材料性能特徵，例如閾值電壓和資料保持能力。半導體產業廣泛使用的分析工具－技術電腦輔助設計（TCAD）通常每次操作需要60小時，限制了研究速度。三星和英偉達的研究團隊利用基於物理定律訓練的人工智慧，成功地將操作時間縮短到10秒以內。
基於研究成果，三星電子將與最大的記憶體客戶英偉達合作，共同推動鐵電NAND快閃記憶體的商業化開發，這預示著雙方未來的發展方向。去年底，三星在國際期刊《自然》上發表了其鐵電NAND快閃記憶體技術，該技術與傳統NAND快閃記憶體相比，功耗降低了96%，標誌著一項重大的行業創新。
根據韓國智慧財產局的數據，韓國在全球鐵電專利份額中位列前五，佔比43.1%，其中三星電子的份額為27.8%。
