《科創板日報》4月26日訊 隨着AI數據中心建設浪潮持續推升光通信需求，以“易中天”為首的光通信產業鏈都交出了頗為亮眼的業績。
同時，多家廠商也透露了擴產計劃，例如中木旭日前在業績會上透露，公司的1.6T產品已經在量產出貨，且預計會保持每個季度出貨量環比提升；3.2T產能正在準備中，尚未到送樣階段。目前行業需求旺盛，公司唯有加大和加快產能建設來保障交付。目前部分原材料供給偏緊張。
天府新聞則在4月22日的業績說明會上表示，公司的1.6T光引擎處於量產狀態，目前因為個別物料缺料尚未達到預期產量，在積極協調供應商，努力爭取更多交付。
技術升級迭代趨勢與產業擴產潮勢必將帶動上游核心材料的需求。華泰證券在研報中表明，在上游材料中看好磷化銦（InP）襯底與薄膜鈮酸鋰兩個方向：
隨着近年800G、1.6T光模塊需求量快速提升，以及未來3.2T時代漸行漸近，看好光模塊上游核心材料的發展機遇，其中InP襯底作為光晶片上游核心原材料，受益於光芯片廠商需求的快速拉動，行業呈現供不應求趨勢；薄膜鈮酸鋰製備的調製器基於低功耗、高帶寬等優勢，未來有望於3.2T可插拔方案中迎來導入窗口期，產業鏈成長空間廣闊。
值得注意的是，這也是深圳3月發布的《深圳市加快推進人工智能服務器產業鏈高質量發展行動計劃（2026-2028年）》中，針對光模塊特別提出的方向：推動光模塊從800G向1.6T/3.2T代際升級，支持800G及以上光模塊量產項目落地；推動高端薄膜鈮酸鋰、高端磷化銦等核心技術突破與規模化應用。
▌磷化銦：擴產周期長 供需缺口持續擴大
隨着高速光模塊快速放量，供給端仍存在剛性約束，而磷化銦襯底便是材料環節供需緊張最為顯著的部分之一。
磷化銦是光芯片中的核心材料，磷化銦襯底可用於製備CW、DFB、EML等邊發射激光器芯片和PIN、APD探測器芯片。數據顯示，2025年全年磷化銦襯底缺口超200萬片，6英寸射頻級價格漲至1.8萬元/片。
而在光芯片BOM中，襯底佔比較高。以新“股王”源傑科技招股書披露的數據為例，公司2022年1~6月的主要原材料採購中，襯底採購金額佔比為27.21%，是BOM中最大的單一品類。
目前，全球磷化銦襯底供應商已相繼開啟加速擴產。其中，美國AXT今年2月透露，公司磷化銦襯底積壓訂單超6000萬美元，創歷史新高，且多個客戶正與公司簽署長協，AXT目標至2026年底將產能較2025年底提升一倍；Lumentum磷化銦晶圓廠產能已全部分配完畢，未來幾個季度擬擴充約40%單元產能；國內雲南鑫耀投資1.89億元擴建年產30萬片（折4英寸）高品質磷化銦單晶片生產線。
但券商指出，由於擴產周期長達2-3年，磷化銦供需缺口預計仍將持續。
華泰證券認為，展望未來，隨着高速光模塊市場規模近年來快速擴張，其在磷化銦下游市場中的比重有望進一步提升。且考慮到相較於此前主流應用於電信市場的DFB芯片等中低端產品，200G EML、超大功率CW光源（400mW，未來有望應用於CPO場景）等高端產品的生產難度更高、良率較低、芯片面積更大，所消耗的磷化銦襯底數量預計更多，或有望推動磷化銦襯底需求量呈現加速增長趨勢。
▌薄膜鈮酸鋰：或成下一代高速光信號主流調製材料
隨着AI芯片持續迭代升級，數據中心光模塊已實現從400G、800G到1.6T的演進。LightCounting今年1月發布的數據顯示，2026年全球以太網光模塊市場規模有望達260.84億美元，其中800G及1.6T光模塊合計滲透率較2023年提升53.67個百分點。
在此趨勢下，3.2T光模塊或迎來加速導入，LightCounting預計2028年3.2T光模塊市場規模有望達13.96億美元，2031年有望提升至240億美元。而3.2T光模塊單通道調製速率需達到400G，華泰證券指出，薄膜鈮酸鋰迎來導入機遇。據其測算，2031年僅3.2T光模塊帶動的薄膜鈮酸鋰調製器市場空間有望近30億元，對應2029~2031年複合年增長率達271%。
從性能上來說，依託鈮酸鋰材料本身的強線性電光效應（Pockels效應），薄膜鈮酸鋰能在低驅動電壓下實現大帶寬、高線性度（高保真）的光信號調製，這使其適用於中長距離和高帶寬的光傳輸應用，如骨幹網、城域網等高速數據鏈路。此外，薄膜鈮酸鋰具有高折射率對比和良好的光場約束，可實現更高集成度，改善器件尺寸和耗電量。
中金公司也指出，在光調製器領域，薄膜鈮酸鋰相比磷化銦、硅基兩類材料，在高帶寬、低驅動電壓和高線性度等方面具有優勢。隨着AI通信網絡加速向單波400G及更高傳輸速率邁進，傳統材料的性能局限性逐漸顯現，薄膜鈮酸鋰有望成為支撐未來更高速光傳輸調製環節的重要材料。
薄膜鈮酸鋰的產業鏈可劃分為鈮酸鋰晶體材料-薄膜鈮酸鋰晶圓-薄膜鈮酸鋰調製器（芯片），各環節均具備較高技術壁壘，我國廠商在以上各領域均已取得積極進展。
其中，光學級鈮酸鋰單晶的製取是產業鏈的最上游環節，此前該市場長期被日本廠商壟斷，目前國內的天通股份、南智芯材等廠商已實現國產化突破；薄膜鈮酸鋰晶圓核心工藝是在硅材料的襯底上進行鍵合等，國內頭部廠商包括濟南晶正、上海新硅聚合等；薄膜鈮酸鋰調製芯片廠商則通過光刻、物理轟擊刻蝕或化學機械拋光工藝，製備TFLN芯片，全球代表廠商包括江蘇鈮奧光電、Hyperlight等。
（科創板日報 鄭遠方）
