（中央社記者鍾榮峰台北30日電）鴻海旗下鴻海研究院今天宣布，利用人工智慧（AI）加速開發第三代半導體碳化矽（SiC）功率元件，成果獲國際期刊IEEE OJPEL刊登。
鴻海研究院透過新聞稿指出，半導體研究所攜手人工智慧研究所以及鴻揚半導體，結合AI學習模型與強化學習（Reinforcement Learning）技術，加速碳化矽功率半導體的研發進程，相關研究成果發表在國際期刊IEEE Open Journal of Power Electronics（OJPEL）。
鴻海研究院說明，相關技術能模擬和調整複雜的製程參數，縮短元件開發時間並降低研發成本，強化功率半導體領域碳化矽研發技術。
鴻海研究院舉例，在高壓高功率的碳化矽元件保護環研究，研究團隊針對保護環的關鍵參數，進行製程模擬與元件特性模擬，並將結果輸入AI模型，建立保護環的AI模型。
鴻海研究院指出，相關模型能根據所需的元件特性進行參數回饋，透過數據分析與預測，進一步提升碳化矽元件的性能與製程效率，最後透過實際製程進行驗證。相關研究成果除了可以強化設計外，未來更可延伸至製程改良和故障診斷，擴大應用範圍。（編輯：楊蘭軒）1131230
標題：鴻海研究院運用AI 加速開發碳化矽功率元件
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